단일 칩 기준으로 2.4Gbps는 용량이 3.7GB인 풀 HD급 영화 한 편을 13초 이내에 전송할 수 있는 속도다.

아울러 PCIe(고속 입출력 인터페이스) 4.0 인터페이스를 지원하며, 향후 PCIe 5.0까지 지원할 계획이다.

허성회 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실 부사장은 "고집적·고용량에 대한 시장의 요구로 V낸드의 단수가 높아짐에 따라 3차원 스케일링 기술로 셀의 평면적과 높이를 모두 감소시키고, 셀의 체적을 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하는 기반 기술도 확보했다"고 설명했다.

최근 반도체 업계에서는 낸드 단수 쌓기 경쟁이 치열하다. SK하이닉스와 마이크론 등 경쟁사는 올해 200단 이상 V낸드 기술을 공개하며 '적층 경쟁'을 펼쳤다.

앞서 마이크론이 232단, SK하이닉스가 238단 낸드플래시 개발을 각각 발표했다.

기존에 삼성전자가 생산한 7세대 V낸드는 176단이다. 회사 측은 이번 8세대 V낸드의 단수를 공개하지는 않았으나, 그동안 200단 이상 낸드를 만들 기술력은 갖췄다고 강조해왔다.

업계에서는 삼성전자의 8세대 V낸드를 236단 수준으로 추정하고 있다.

2002년부터 낸드플래시 1위 자리를 지켜온 삼성전자는 지난 7월부터 평택 3라인에 낸드플래시 양산을 위한 웨이퍼를 투입하며 경쟁력 강화에 나섰다.

이번에 양산하는 8세대 V낸드를 앞세워 차세대 엔터프라이즈 서버 시장의 고용량화를 주도하고, 높은 신뢰성이 필요한 전장 시장까지 사업 영역을 넓힌다는 계획이다.

특히 전장 시장은 2030년 이후에는 서버, 모바일과 더불어 3대 낸드 응용처로 부상할 것으로 회사 측은 예상한다.

전장 시장의 경우 최근 시스템 수준이 올라가고 차 한 대에 들어가는 메모리 탑재량은 물론 사양 자체도 높아지고 있다.

삼성전자는 지난달 초 미국 실리콘밸리 '삼성 테크 데이'에서 올해 8세대 V낸드 생산에 이어 2024년에 9세대 V낸드를 양산할 계획이라고 발표했다.

또 2030년까지 데이터 저장장치인 셀을 1천단까지 쌓는 V낸드를 개발하겠다는 목표도 밝혔다. 1천단은 현재 176단인 7세대 V낸드보다 5배 이상 저장 가능한 수준이다.